电流密度对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响

doi:10.13251/j.issn.0254-6051.2016.04.037

金属热处理

电流密度对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响

华北理工大学冶金与能源学院河北省现代冶金技术重点实验室

出版日期:2016-04-22 发布日期:2016-05-04
基金资助:
河北省自然科学基金（E2014209275）

Effect of current density on siliconizing of niobium in molten salt

Hebei Key Laboratory of Modern Metallurgy Technology, College of Metallurgy and Energy, North China University of Science and Technology

Online:2016-04-22 Published:2016-05-04

摘要/Abstract

摘要： 采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅，利用辉光放电光谱仪（GDOES）、扫描电镜（SEM）和能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响，并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明，渗硅层厚度随电流密度的增大而增加，超过100 mA/cm2厚度增加缓慢。渗硅层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小。渗层与基体结合紧密，渗层组织较均匀整齐，致密无孔洞。渗硅层由单相NbSi2组成，在（110）和（200）晶面上择优生长。NbSi2渗层提高了纯铌的抗氧化性。

关键词: 铌, 熔盐脉冲电沉积, 渗硅, 电流密度, 抗氧化性

Key words: Niobium, molten salt pulse electrodeposition, siliconizing, current density, oxidation resistance

中图分类号:

TG146.4+16

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Effect of current density on siliconizing of niobium in molten salt

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