稳恒磁场对多晶硅定向凝固结晶阶段流速场的影响
- 南昌大学 机电工程学院; 新余学院 新能源科学与工程学院; 江西省高等学校硅材料重点实验室
Effect of steady magnetic field on velocity field in crystallization stage during directional solidification of polysilicon
- School of Mechanical and Electrical Engineering, Nanchang University; School of New Energy Science and Engineering, Xinyu Universiy; Key Laboratory of Jiangxi University for Silicon Materials
摘要： 采用有限元Comsol 4.3a软件对多晶硅定向凝固结晶阶段3个时期（前期、中期、后期）坩埚内硅熔体的流速场进行数值模拟，并与不同磁场强度下的硅熔体流速场进行了对比分析。结果表明，硅熔体的平均流速随着结晶时间的延长而减小，从初期的38 μm/s减小到后期的16 μm/s，下降了57.89%。施加磁场后，硅熔体的平均流速随着磁场强度的增大而减小：结晶初期、中期和后期，硅熔体的平均流速分别减小了42.11%、58.59%和45.16%。结晶阶段3个时期分别施加磁场强度为0.6、0.4、0.2 T时，磁场对硅熔体的对流抑制作用最为明显。
中图分类号: