退火温度对直流磁控溅射制备Ru薄膜微观结构及膜基结合力的影响

doi:10.13251/j.issn.0254-6051.2016.06.028

金属热处理

退火温度对直流磁控溅射制备Ru薄膜微观结构及膜基结合力的影响

1. 江苏科技大学材料科学与工程学院; 2. 江苏时代华宜电子科技有限公司; 3. 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心

出版日期:2016-06-25 发布日期:2016-07-04
基金资助:
江苏省产学研前瞻性课题研究（BY2013066-11）

Effect of annealing temperature on microstructure and adhesion strength of Ru films deposited by DC magnetron sputtering

1. School of Material Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology; 2. HY Times Electronic Science and Technology Co., Ltd.; 3. Patent Examination Cooperation Jiangsu Center of The Patent Office SIPO

Online:2016-06-25 Published:2016-07-04

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜，利用真空退火炉、EDS、XRD，台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力及膜基结合力的影响。结果表明，不同退火温度处理下的Ru薄膜呈六方Ru结构，具有（002）择优取向，当退火温度为600 ℃时，薄膜出现氧化相。退火处理能够改善薄膜结晶程度。随退火温度的升高，薄膜残余应力逐渐降低，膜基结合力先升高后降低，当退火温度为300 ℃时，膜基结合力最高，约为17.6 N。

关键词: 磁控溅射, Ru薄膜, 退火温度, 膜基结合力

Key words: magnetron sputtering, Ru films, annealing temperature, adhesion strength

中图分类号:

TG156.21

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Xue Yaping1,3, Ju Hongbo1, Chen Min2, Guo Liping2, Yu Lihua1, Xu Junhua1. Effect of annealing temperature on microstructure and adhesion strength of Ru films deposited by DC magnetron sputtering[J]. HTM, doi: 10.13251/j.issn.0254-6051.2016.06.028.

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退火温度对直流磁控溅射制备Ru薄膜微观结构及膜基结合力的影响

Effect of annealing temperature on microstructure and adhesion strength of Ru films deposited by DC magnetron sputtering

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